西部数据宣布 ， 与铠侠联合开发的BiCSNAND闪存将进入第六代 ， 堆叠层数达到162层 ， 今年即投入量产 。
目前的3DNAND闪存已经纷纷堆到176层 ， 美光日前更是宣布全球首个达到232层 。
但是西数指出 ， 自家的162层闪存单元尺寸更小 ， 只有68平方毫米 ， 小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米 ， 因此存储密度更高 ， 可以提供和竞品相同的单芯片容量 。
西数表示 ， BiCS6162层堆叠下 ， 一块晶圆就可以做到100TB容量 ， 而目前只有大约70TB 。
【西部数据宣布|西数将量产162层闪存：一块晶圆容量100TB】性能方面 ， 西数宣称自己拥有最好的电荷捕获(ChargeTrap)型单元 ， 性能可达60MB/s ， 比对手快了一半 。
西数还预告了下下一代BiCS+闪存 ， 堆叠超过200层 ， 预计可带来60％的传输速度提升、15％的编程带宽提升、55％的晶圆容量提升 ， 然后继续一路堆叠 ， 2032年左右将超过500层！
另外 ， 西数在PPT上海列出了PLC闪存 ， 但没有任何细节消息 。

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